活性氧化铝的XRD谱X’Pert Pro型X射线衍射仪上测定。管电压40kV, 管电流30mA , Cu Kα 辐射源(λ=0.115406 nm) , 扫描范围2θ=10°～ 90°。样品的比表面积用MicromeriticsTristar 3000 型吸附仪测定。样品预先在200℃下抽空处理2h , N2为吸附质(-196℃下吸附) 。活性氧化铝比表面积用BET方法计算,孔体积和孔径分布用BJH方法计算, 微孔体积根据t2plot方法计算.。NH3-TPD谱在Micromeritics AutoChemⅡ2920型分析仪上测定. 样品(100mg) 预先在500℃下用He气流(20ml/min) 处理30min , 待活性氧化铝样品温度降至80℃后导入NH3吸附至饱和,然后切换用He气流(30ml/min) 吹扫,基线平稳后进行氨程序升温脱附(以10℃/min的速率由80℃升温至650℃) 。
